五個點來介紹NXP半導體KITPF8200FRDMPGM型的分類及性能：
（1）元素NXP半導體。元素NXP半導體是指單一元素構成的NXP半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有NXP半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在NXP半導體工業(yè)中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高NXP半導體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工業(yè)生產(chǎn)。
（2）無機合成物NXP半導體。無機合成物主要是通過單一元素構成NXP半導體材料，當然也有多種元素構成的NXP半導體材料，主要的NXP半導體性質有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的結合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影響，不是所有的化合物都能夠符合NXP半導體材料的要求。這一NXP半導體主要運用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他材料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。 對于導電率高的材料，主要用于LED等方面。
（3）有機合成物NXP半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發(fā)生電導率，從而形成有機化合物NXP半導體。這一NXP半導體和以往的NXP半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比較廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。
（4）非晶態(tài)NXP半導體。它又被叫做無定形NXP半導體或玻璃NXP半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶NXP半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶態(tài)NXP半導體的性能控制難，隨著技術的發(fā)明，非晶態(tài)NXP半導體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。
（5）本征NXP半導體：不含雜質且無晶格缺陷的NXP半導體稱為本征NXP半導體。在極低溫度下，NXP半導體的價帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電并不是實際運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時NXP半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈NXP半導體的電阻率較大，實際應用不多。
實物如下圖所示：
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